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“氮化镓基高效LED芯片技术”项目取得阶段性进展

    在山西省关键核心技术和共性技术研发攻关专项的支持下,山西中科潞安紫外光电科技有限公司协同中科院半导体所、中科潞安半导体技术研究院共同承担了“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目在技术创新和应用创新不断取得突破。

    项目单位围绕高质量AlN模板材料、AlGaN材料的大失配异质外延缺陷与应力调控、高效量子结构设计与外延、高光效深紫外LED芯片的关键制备技术及先进封装技术开展研究工作,显著提升了深紫外LED芯片的内量子效率和光提取效率,制备出的大功率深紫外LED芯片,发光功率超过40mW,并开发出发光功率超过1W的深紫外LED模组,模组寿命超过5000小时。目前相关大功率产品已小批量生产,待产业化规模放大后,可有效降低芯片成本,推动深紫外LED产业开辟新的应用领域和市场,带动上下游相关产业发展。

2021年4月30日 17:09
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